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口頭

Cascade and competitive superfluorescence in He studied at the EUV free-electron laser SCSS using a streak camera

Harries, J.; 岩山 洋士*; 永園 充*; 富樫 格*; 久間 晋*; 中嶋 享*; 繁政 英治*

no journal, , 

Following excitation of 1s3p atoms in a sample of pressures around 3000 Pa the dominant mode of decay was found to be superfluorescence at 501.6 nm. At higher densities superfluorescence on other transitions, 3d-2p at 667.8 nm and 3s-2p at 728.1 nm was also observed. Using filters in front of a streak camera, we have characterized this competitive process. Further, we have studied excitation at 52.2 nm, corresponding to 1s4p excitation. Emission at 667.8 nm emission was found to be dominant, indicating two-step cascade superfluorescence 4p-3d-2p.

口頭

Projectile charge effect on radial dose due to the irradiation of a heavy particle

森林 健悟

no journal, , 

Radial dose has been employed in the treatment planning system for heavy particle cancer therapy in order to estimate the cell survival after the exposure to a heavy particle. However, there are no studies involving the detailed examination of the physical phenomena that occur near the trajectory of a heavy particle before ours. Here, we study the projectile charge ($$q$$) effect on radial dose. For $$E_{hp}$$ = 3 MeV/u, we may be able to treat only $$q$$ = 6 for the simulation of radial dose because the mean projectile charge state ($$q_{mean}$$) is about 5.8, where $$E_{hp}$$ is the energy of a heavy particle. However, $$q_{mean}$$ becomes about 5.0 at $$E_{hp}$$ = 1 MeV/u, then, we must consider $$q$$ effect. We will show the radial dose of heavy particles with $$E_{hp}$$ = 1 and 2 MeV/u using $$q_{mean}$$ in this presentation.

口頭

Total-reflection high-energy positron diffraction (TRHEPD) for determination of topmost surface structure

深谷 有喜

no journal, , 

結晶の表面はその低次元性によりバルクにはない様々な興味深い物性を示す。また、最近のナノテクノロジーの発展に伴い、結晶表面自体やその上に構築したナノ構造に注目が集まっている。これらの表面物性を調べるには、プローブ側に高い表面敏感性が要求される。本研究で用いた全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法は、反射高速電子回折(RHEED)の陽電子版である。陽電子は電子と同じ電荷とスピンを持つが、電荷の符号が電子とは逆のプラスである。このため、陽電子に対する表面の結晶ポテンシャルは障壁として働き、低視射角入射で、陽電子は結晶表面で全反射する。全反射の臨界角はスネルの法則から見積もられる。たとえば10kVの陽電子ビームがシリコン表面に入射した場合、臨界角は2.0$$^{circ}$$と求められる。全反射条件下では、陽電子ビームの侵入深さは約2A以下であり、1-2原子層分の深さに相当する。したがって、TRHEPD法は最表面に極めて敏感な手法である。本発表では、TRHEPD法の表面敏感性の実例とシリセンの構造決定に適用した最近の研究について報告する。

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